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    本發明係關於一種積體電路檢查裝置，其係用於檢查包含半導體基板及形成於半導體基板之表面側之電路部之積體電路者，該積體電路檢查裝置包含：光產生部，其產生照射於積體電路之光；波長幅調整部，其調整照射於積體電路之光之波長幅；照射位置調整部，其調整照射於積體電路之光之照射位置；及光檢測部，其於來自光產生部之光經由半導體基板之背面而照射於電路部時，檢測來自積體電路之光。
    公开号:TW201303332A
    申请号:TW101119392
    申请日:2012-05-30
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Tomonori Nakamura；Nobuyuki Hirai
    申请人:Hamamatsu Photonics Kk；
    IPC主号:G01N21-00
    专利说明:
    積體電路檢查裝置
    本發明係關於一種積體電路檢查裝置。
    作為關於積體電路檢查裝置之技術，例如專利文獻1中，於形成於積體電路之電晶體之活性區域照射雷射光，藉由檢測電晶體之活性區域中變調且反射之雷射光，而記載有分析電晶體之故障之技術。專利文獻1中，雷射光之變調係依存於與施加於電晶體之電壓對應之電晶體之應答，根據分析經變調之雷射光之振幅或強度，施光，位相，可實現調查電晶體之故障之有無。 先前技術文獻專利文獻
    專利文獻1：美國專利申請公開第2010/0039131號明細書
    但，專利申請1中記載之技術中，因經由半導體基板之背面而於電晶體之活性區域照射雷射光，故對於電晶體之活性區域中變調且反射之雷射光，恐有受半導體基板之背面反射之雷射光干擾之虞。即，於變調之雷射光之信號資訊上，恐有重疊背面反射之雷射光之干擾資訊而S/N下降之虞。且，光學之距離根據以溫度變化為起因之半導體基板之膨脹或折射率之變化等而變化，故該干擾資訊係極不易安定。
    因此，本發明目的在於提供可實現提高積體電路之檢查精度之積體電路檢查裝置。
    本發明之一種積體電路檢查裝置，其係用於檢查包含半導體基板及形成於半導體基板之表面側之電路部之積體電路者，且包含：光產生部，其產生照射於積體電路之光；波長幅調整部，其調整照射於積體電路之光之波長幅；照射位置調整部，其調整照射於積體電路之光之照射位置；及光檢測部，其係於來自光產生部之光經由半導體基板之背面而照射於電路部時，檢測來自積體電路之光。
    該積體電路檢查裝置中，藉由波長幅調整部調整照射於積體電路之光之波長幅。藉此，例如對應電路部與半導體基板之背面之距離而加寬波長幅(即，縮短可干擾距離)，可抑制來自電路部及其附近之光受半導體基板之背面反射之光(以下，稱為：「背面反射光」)干擾。總之，可抑制於來自電路部及其附近之光之信號資訊上重疊背面反射光之干擾資訊而使S/N下降。因此，藉由該積體電路檢查裝置，可提高積體電路之檢查精度。
    本發明之積體電路檢查裝置中，光檢測部係亦可對來自積體電路之光檢測干擾光之強度。如上所述，背面反射光對於來自電路部及其附近之光之干擾受到抑制，故藉由光檢測部所檢測之干擾光之強度主要係針對來自電路部及其附近之光者。因此，基於根據光檢測部而檢測之干擾光之強度可實現以較高精度解析電路部之狀態。
    本發明之積體電路檢查裝置中，亦可為，光產生部包含超級發光二極體，波長幅調整部藉由調整施加於超級發光二極體之電壓，而調整波長幅。或者亦可為，光產生部包含白色光源，波長幅調整部藉由調整來自白色光源之光中透射之光之波長頻帶，而調整波長幅。藉由該等構成，可實現適當調整照射於積體電路之光之波長幅。尤其，光產生部包含超級發光二極體之情形時，可得光亮度之光。
    本發明之積體電路檢查裝置中，照射位置調整部亦可以使來自光產生部之光經由形成於半導體基板之空乏層而照射於電路部之方式，調整照射位置。根據該構成，例如MOS型電晶體部中，以將光經由空乏層而照射於汲極，而可檢測因為空乏層側之汲極之界面(根據物質之不同者)上之反射光，或汲極與反射側之空乏層之界面(根據載體密度之不同者)上之反射光等所產生之干擾光之強度，且可以較高精度分析電路部之狀態。
    本發明之積體電路檢查裝置中，波長幅調整部亦可基於照射於積體電路之光之中心波長、半導體基板之折射率、半導體基板之厚度及空乏層之深度，而調整波長幅。根據該構成，經由空乏層而將光照射於電路部之情形，由於抑制背面反射光對於電路部及來自其近旁之光之干擾，而以檢測電路部及來自其近旁之光為主，可實現適當調整照射於積體電路之光之波長幅。
    根據本發明，可實現提高積體電路之檢查精度。
    以下，對於本發明之較佳實施形態，參照圖面而進行詳細說明。另，各圖中相同或相當部份伴有相同符號，而省略重複之說明。
    如圖1所示，積體電路檢查裝置1係特定被檢測元件(DUT：Device Under Test待測試裝置)之積體電路20中異常產生處等，用於檢測積體電路20之裝置。積體電路20係例如C-MOS-IC，包含有矽基板(半導體基板)21，及於矽基板21之表面21a側形成之電路部22。於積體電路20，自測試器2輸入測試信號(例如矩形波狀之脉衝信號)，據此，積體電路20係於檢測時驅動。
    積體電路檢查裝置1包含光產生部3，產生照射於積體電路20之光L。光產生部3係包含有超級發光二極體(以下，稱為「SLD」)4，及施加電壓於SLD4之電壓施加部5。藉由根據電壓施加部5施加電壓，SLD4所發之光L係藉由透鏡系而準直於平行光，自光產生部3出射。
    自光產生部3出射之光L係藉由偏光件6改變成具有特定偏光方向之直線偏光。透射過偏光件6之光L係依序透射過偏光分光器7及掃描光學系統(照射位置調整部)8，藉由1/4波長板9而改變成圓偏光。透射過1/4波長板9之光L係藉由包含有鏡子或透鏡等之成像光學系統11，而於積體電路20之特定位置成像。此時，光L係經由矽基板21之背面21b而照射於電路部22。且，光L係藉由掃描光學系統8，對於積體電路20進行2維掃描。即，掃描光學系統8調整照射於積體電路20之光L之照射位置。
    以積體電路20而反射之光L透射過成像光學系統11，藉由1/4波長板9而轉變成直線偏光。通過1/4波長板9之光L雖通過掃描光學系統8，但因具有與上述特定之偏光方向垂直之偏光方向，故藉由偏光分光器7反射，並藉由光感測器(光檢測部)12予以檢測。即，光感測器12係於來自光產生部3之光L經由矽基板21之背面21b而照射於電路部22時，檢測來自積體電路20之光L。此處，光感測器12係對來自積體電路20之光L檢測干擾光之強度。
    對應光信號之輸入而自光感測器12輸出之電信號經放大並輸入至鎖相放大器13中。鎖相放大器13中，基於自測試器2輸入至積體電路20之測試信號，而擷取對應光信號之特定週期之信號。擷取之信號被輸入至控制掃描光學系統8等積體電路檢查裝置1之各部之控制部14。輸入之信號係在控制部14中，與積體電路20中之光L之照射位置相對應而圖像化。將如此製作之積體電路動作像顯示於顯示裝置15。另，可使用頻譜分析器取代鎖相放大器13。
    控制部14除作為分析部發揮功能以外，亦與電壓施加部5一同作為波長幅調整部發揮功能，用以調整照射於積體電路20之光L之波長幅。即，控制部14係藉由控制電壓施加部5而調整施加於SLD4之電壓，而調整照射於積體電路20之光L之波長幅。SLD4具有藉由電壓施加部5而施加之電壓越大則產生波長幅越窄之光L之特性。
    此處，對於藉由控制部14而調整之光L中波長幅，參照圖2進行說明。圖2係積體電路20之一部份即MOS型電晶體部之構成圖。照射於積體電路20之光L之照射位置係以經由形成於矽基板21之空乏層而於電路部22(此處為汲極)照射光L之方式，藉由掃描光學系統8予以調整。
    首先，光L之可干擾距離I係以光L之中心波長(例如，頂峰振動波長)為λ，以光L之波長幅(例如，光譜半值幅)為d，以光L透射之媒體之折射率為n時，以以下之式顯示。
    於上述積體電路動作像之製作上有效之信號之強度變調係數十ppm左右。即，為了對於信號降低雜訊，確保充分之S/N，對於必須觀察之面(即，電路部22及其近旁之面)之光L之反射光，與非觀察面(即，矽基板21之背面21b)之光L之反射光之光路長差，需要充分減少可干擾距離I。干擾光之強度I係以自強度I為最大之位置之距離為x時，以以下之式顯示。
    |x|>1時，干擾光之強度I係強度I之最大值為1時，大約成為，[數3]0≦I≦4/x2π2作為平均，成為，[數4]I≒2/x2π2
    改善S/N之情形，必須觀察之面光L之反射光，及非觀察面上之光L之反射光之干擾光的強度I必須極力減小。例如，為使強度I為0.001，可將距離x設為約14。為抑制矽基板21之背面21b之光L之反射光之干擾，基板21內來回之光L之光路長必須超過可干擾距離I。
    總之，以矽基板21之厚度為T，對於光L之矽基板21之折射率為n時，必須滿足：[數5]2Tn>14λ2/d
    [數6]d>7λ2/Tn。
    矽基板21之折射率n係大約為3.5。光L之中心波長(觀察波長)λ由於不受矽基板21吸收，且較好為儘量較短者，故標準為1.3 μm。該情形，光L之波長幅d成為[數7]d>3.38/T(單位：μm)。
    矽基板21之厚度T為100 μm時，光L之波長幅d必須超過33.8 nm。
    如此，以擴大光L之波長幅d，縮短光L之可干擾距離I之方式，可抑制背面反射光(矽基板21之背面21b之光L之反射光)干擾電路部22及其近旁之面之光L之反射光。
    其另一方面，光L之反射光之變調係基於電路部22及其近旁之面之光L之反射率的變化者，但該變化係起因於根據電路部22周邊之空乏層之擴大、縮小造成反射面之移動，及根據其內部載體造成之光吸收。總之，為防止反射率之變化之減少，需要相當於空乏層之深度(空乏層側之汲極界面與和汲極成相反側之空乏層之界面之距離)之2倍乘上折射率n之可干擾距離I。該距離係與連接之區域間之電壓之平方根成比例，與載體密度成反比例。以擴散層上伴有之空乏層之深度為t時，以下之式成立。
    [數8]2tn<0.441λ2/d
    如上所述，以矽基板21之折射率n為3.5，以光L之中心波長為1.3 μm時，大約成為：[數9]d<0.106/t(單位：μm)因此，光L之適當之波長幅d係以以下之式顯示[數10]3.38/T<d<0.106/t(單位：μm)
    深擴散層(井結構)等之電壓亦觀察之情形，以空乏層之深度t為1 μm，矽基板21之厚度T假定為100 μm時，光L之適當之波長幅d係，以以下之式顯示。
    [數11]33.8<d<106(單位：nm)
    如上所述，控制部14係基於照射於積體電路20之光L之中心波長λ、矽基板21之折射率n、矽基板之厚度T及空乏層之深度t，而決定光L之波長幅d之值。且，控制部14係藉由控制電壓施加部5而調整施加於SLD4之電壓，以調整光L之波長幅d成為所決定之值。
    其次，對於上述之積體電路動作像之製作進行說明。此處之積體電路動作像之製作成係基於LVI(Laser Voltage Imaging：雷射電壓成像)法者(例如參照專利文獻1)。
    首先，自測試器2輸入測試信號於積體電路20，驅動積體電路20。該狀態中，如圖3所示，照射於積體電路20之光L之照射位置係藉由掃描光學系統8而對準於位置P1，干擾光之強度係藉由光感測器12而檢測。且，鎖相放大器13中，干擾光之強度信號與測試信號同步而解析，檢測特定之頻率f0之干擾光之強度I1。
    接著，如圖4所示，照射於積體電路20之光L之照射位置係藉由掃描光學系統8而對準於位置P2，干擾光之強度係藉由光感測器12而檢測。且，鎖相放大器13中，干擾光之強度信號與測試信號同步而解析，檢測特定之頻率f0之干擾光之強度I2。
    如此，光L之照射位置對於積體電路20進行2維掃描，在積體電路20之整體，檢測特定之頻率f0之干擾光之強度I2。且，控制部14中，干擾光之強度與光L之照射位置對應，製作特定之頻率f0之干擾光強度圖像作為積體電路動作像，顯示於顯示裝置15上。
    在驅動積體電路20之情形及不驅動之情形中，電路部22中載體存在之範圍會改變，空乏層之深度或光吸收率等會改變。因此，與汲極成反對側之空乏層之界面上反射之光L之光路長會改變。因此，驅動積體電路20之情形及不驅動之情形中，存在該界面上反射之光L之強度之變化(強度變調)，在異常產生處，該界面上反射之光L之強度不會發生變化，故利用檢測干擾光之強度可特定出積體電路20中異常產生處。又，光L之照射位置對準於積體電路20中特定之位置，檢測該特定位置中干擾光之強度，亦可針對該特定位置進行檢測。
    如上所述，積體電路檢查裝置1中，照射於積體電路20之光L之波長幅係藉由控制部14及電壓施加部5而調整。據此，對應電路部22與矽基板21之背面21b之距離而擴大波長幅(即，縮短可干擾距離)，可實現抑制背面反射光對電路部22及自其近旁之光L之干擾者。即，可抑制於電路部22及自其近旁之光L之信號資訊(主要係針對電路部22及自其近旁之光之干擾光之強度資訊)上，重疊有背面反射光之干擾資訊而S/N之降低者。因此，藉由積體電路檢查裝置1，可實現提高積體電路20之檢查精度。
    又，光產生部3包含SLD4，控制部14藉由控制電壓施加部5而調節施加於SLD4之電壓，而調整照射於積體電路20之光L之波長幅。據此，可適當調整照射於積體電路20之光L之波長幅。尤其，經由使用SLD4，可獲得光亮度之光L。
    另，於自SLD4發出之光L之光路上，亦可配置用於調整光L之波長幅之波長選擇濾波器。此時，控制部14係與波長選擇濾波器一同作為波長幅調整部而發揮功能，用以調整照射於積體電路20之光L之波長幅。即，控制部14藉由切換複數種之波長選擇濾波器(例如，帶通濾波器，長濾波器，短濾波器之任一個，或該等之組合)等，並調整自SLD4之光L中透射之光L之波長頻帶，而調整照射於積體電路20之光L之波長幅。藉此，亦可適當調整照射於積體電路20之光L之波長幅。
    此時，控制部14基於照射於積體電路20之光L之中心波長、矽基板21之折射率、矽基板21之厚度及空乏層之深度，而決定光L之波長幅之值。據此，抑制背面反射光對於電路部22及來自其近旁之光L之干擾，主要檢測電路部22及來自其近旁之光L，可實現適當調整照射於積體電路20之光L之波長幅。
    又，以使來自光產生部3之光L經由形成於矽基板21之空乏層而照射於電路部22之方式，由掃描光學系統8調整光L之照射位置。據此，例如MOS型電晶體部中，以經由空乏層而於汲極照射光L，而檢測藉由空乏層側之汲極界面(根據物質之不同者)上之反射光，或與汲極成相反側之空乏層之界面(根據載體密度之不同者)上之反射光而產生之干擾光之強度，可實現以較高精度分析電路部22之狀態。近年來，伴隨積體電路20之微細化，源極與汲極間之通道區域之寬幅逐漸變窄至波長以下，由該區域之光L難以入射可知，上述構成可謂極其有效。另，可將自光產生部3之光L，經由通道區域正下方之空乏層而照射於電路部22。
    圖5係，顯示積體電路動作像之比較例及實施例之圖。作為比較例，照射中心波長1300 nm，波長幅1 nm以下，輸出109 mW之雷射光，而取得根據LVP之積體電路動作像，驅動部以橢圓圈出(圖5(a))。另一方面，作為實施例，照射中心波長1310 nm，波長幅55 nm，輸出14 mW之光，根據LVP而取得積體電路動作像，驅動部以橢圓圈出(圖5(b))。作為被檢體元件，使用相同之積體電路。其結果，照射有中心波長1310 nm，波長幅55 nm，輸出14 mW之光之情形，相較於照射中心波長1300 nm，波長幅1 nm以下，輸出109 mW之雷射光之情形，因為背面反射光之影響所產生之雜訊減少，即使照射雷射光之情形下觀察不到的驅動部區域，亦已可觀察到。
    以上，對於本發明之一實施形態進行說明，但本發明係不限於上述實施形態者。例如，如圖6所示，SLD4與偏光分光器7之間亦可不配置偏光件6。該情形時，為防止自SLD4發出之光L中非直線偏光之成份作為散射光而朝向光感測器12，可於與光感測器12成相反側上，對於偏光分光器7配置黑色部件等，吸收該成份之光吸收體16。
    又，如圖7所示，光產生部3係亦可具有白色光源17取代SLD4。該情形時，自白色光源17發出之光L之光路上，可配置用於調整光L之波長幅之波長選擇濾波器18。此時，控制部14與波長選擇濾波器18一起作為波長調整部而發揮功能，調整照射於積體電路20之光L之波長幅。即，控制部14係切換複數種類之波長選擇濾波器18(例如，帶通濾波器，長濾波器，短濾波器之任一個，或該等之組合)等，藉由調整自白色光源17之光L中透射之光L之波長頻帶，而調整照射於積體電路20之光L之波長幅。據此，可實現適當調整照射於積體電路20之光L之波長幅。 產業上之利用可能性
    根據本發明，可實現提高積體電路之檢查精度。
    1‧‧‧積體電路檢查裝置
    2‧‧‧測試器
    3‧‧‧光產生部
    4‧‧‧超級發光二極體
    5‧‧‧電壓施加部(波長幅調整部)
    6‧‧‧偏光件
    7‧‧‧偏光分光器
    8‧‧‧掃描光學系統(照射位置調整部)
    9‧‧‧1/4波長板
    11‧‧‧成像光學系統
    12‧‧‧光感測器(光檢測部)
    13‧‧‧鎖相放大器
    14‧‧‧控制部(波長幅調整部)
    15‧‧‧顯示裝置
    17‧‧‧白色光源
    18‧‧‧波長選擇濾波器(波長幅調整部)
    20‧‧‧積體電路
    21‧‧‧矽基板(半導體基板)
    21a‧‧‧矽基板表面
    21b‧‧‧矽基板背面
    22‧‧‧電路部
    L‧‧‧光
    圖1係本發明之一實施形態之積體電路檢查裝置之構成圖。
    圖2係圖1之積體電路檢查裝置之被檢測元件之積體電路之一部份之構成圖。
    圖3係關於製作使用圖1之積體電路檢查裝置之積體電路動作像之說明圖。
    圖4係關於製作使用圖1之積體電路檢查裝置之積體電路動作像之說明圖。
    圖5(a)、(b)係顯示積體電路動作像之比較例及實施例之圖。
    圖6係本發明之其他之實施形態之積體電路檢查裝置之構成圖。
    圖7係本發明之其他之實施形態之積體電路檢查裝置之構成圖。
    1‧‧‧積體電路檢查裝置
    2‧‧‧測試器
    3‧‧‧光產生部
    4‧‧‧超級發光二極體
    5‧‧‧電壓施加部(波長幅調整部)
    6‧‧‧偏光件
    7‧‧‧偏光分光器
    8‧‧‧掃描光學系統(照射位置調整部)
    9‧‧‧1/4波長板
    11‧‧‧成像光學系統
    12‧‧‧光感測器(光檢測部)
    13‧‧‧鎖相放大器
    14‧‧‧控制部(波長幅調整部)
    15‧‧‧顯示裝置
    20‧‧‧積體電路
    21‧‧‧矽基板(半導體基板)
    21a‧‧‧矽基板表面
    21b‧‧‧矽基板背面
    22‧‧‧電路部
    L‧‧‧光
    权利要求:
    Claims (6)
    [1] 一種積體電路檢查裝置，其特徵在於：其係用於檢查包含半導體基板及形成於上述半導體基板之表面側之電路部之積體電路者，且包含：光產生部，其產生照射於上述積體電路之光；波長幅調整部，其調整照射於上述積體電路之光之波長幅；照射位置調整部，其調整照射於上述積體電路之光之照射位置；及光檢測部，其係於來自上述光產生部之光經由上述半導體基板之背面而照射於上述電路部時，檢測來自上述積體電路之光。
    [2] 如請求項1之積體電路檢查裝置，其中上述光檢測部係對來自上述積體電路之光檢測干擾光之強度。
    [3] 如請求項1或2之積體電路檢查裝置，其中上述光產生部包含超級發光二極體，上述波長幅調整部藉由調整施加於上述超級發光二極體之電壓，而調整上述波長幅。
    [4] 如請求項1或2之積體電路檢查裝置，其中上述光產生部包含白色光源，上述波長幅調整部藉由調整來自上述白色光源之光中透射之光之波長頻帶，而調整上述波長幅。
    [5] 如請求項1至4中任一項之積體電路檢查裝置，其中上述照射位置調整部係以使來自上述光產生部之光經由形成於上述半導體基板之空乏層而照射於上述電路部之方式，調整上述照射位置。
    [6] 如請求項5之積體電路檢查裝置，其中上述波長幅調整部係基於照射於上述積體電路之光之中心波長、上述半導體基板之折射率、上述半導體基板之厚度及上述空乏層之深度，而調整上述波長幅。
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    KR20200118791A|2020-10-16|농도 측정 방법 및 농도 측정 장치
    KR101398835B1|2014-05-30|콤 생성 및 검출 장치를 이용한 실시간 분광형 간섭 측정 장치 및 측정 방법
    JP7000198B2|2022-01-19|キャリア寿命測定方法及びキャリア寿命測定装置
    JP2015203654A|2015-11-16|分子数測定装置及び分子数測定方法
    JP7000197B2|2022-01-19|濃度測定方法及び濃度測定装置
    JP2004125584A|2004-04-22|光変調励起反射分光装置
    CN109238964B|2020-12-01|一种传感装置
    JP2016080655A|2016-05-16|テラヘルツ波計測装置
    JP2016090550A|2016-05-23|情報取得装置及び固定具
    KR101135142B1|2012-04-16|주입잠금 레이저를 이용한 표면 진동 측정 장치
    JPWO2004053466A1|2006-04-13|分光分析方法および分光分析装置
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP5894745B2|2016-03-30|
    EP2717305A4|2015-03-11|
    CN103563064A|2014-02-05|
    JP2012247397A|2012-12-13|
    EP2717305B1|2020-03-18|
    CN106198566A|2016-12-07|
    TWI557415B|2016-11-11|
    EP2717305A1|2014-04-09|
    KR20140033368A|2014-03-18|
    US10508996B2|2019-12-17|
    CN103563064B|2016-08-17|
    KR101951969B1|2019-02-25|
    US9099350B2|2015-08-04|
    WO2012165344A1|2012-12-06|
    US20150293036A1|2015-10-15|
    CN106198566B|2020-08-21|
    US20120307249A1|2012-12-06|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    US4856014A|1986-12-31|1989-08-08|Trw Inc.|Angled stripe superluminescent diode|
    US5126660A|1991-01-02|1992-06-30|At&T Bell Laboratories|Optical probing method and apparatus|
    JPH06102295A|1992-07-28|1994-04-15|Hewlett Packard Co <Hp>|非接触型プローブおよび非接触電圧測定装置|
    US6376329B1|1997-08-04|2002-04-23|Nikon Corporation|Semiconductor wafer alignment using backside illumination|
    US5956142A|1997-09-25|1999-09-21|Siemens Aktiengesellschaft|Method of end point detection using a sinusoidal interference signal for a wet etch process|
    US6184542B1|1998-06-16|2001-02-06|Princeton Lightwave|Superluminescent diode and optical amplifier with extended bandwidth|
    US6633376B1|1998-08-10|2003-10-14|Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha|Apparatus for inspecting a printed circuit board|
    JP3610837B2|1998-09-18|2005-01-19|株式会社日立製作所|試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置|
    US6690469B1|1998-09-18|2004-02-10|Hitachi, Ltd.|Method and apparatus for observing and inspecting defects|
    GB0206342D0|2002-03-18|2002-05-01|Murgitroyd & Company|An improved process control method and apparatus|
    US7420675B2|2003-06-25|2008-09-02|The University Of Akron|Multi-wavelength imaging system|
    JP2005077964A|2003-09-03|2005-03-24|Fujitsu Ltd|分光装置|
    GB0415766D0|2004-07-14|2004-08-18|Taylor Hobson Ltd|Apparatus for and a method of determining a characteristic of a layer or layers|
    US7924892B2|2004-08-25|2011-04-12|Kla-Tencor Technologies Corporation|Fiber amplifier based light source for semiconductor inspection|
    US7884024B2|2005-02-24|2011-02-08|Dcg Systems, Inc.|Apparatus and method for optical interference fringe based integrated circuit processing|
    TW200717678A|2005-05-05|2007-05-01|Koninkl Philips Electronics Nv|Method for analyzing an integrated circuit, apparatus and integrated circuit|
    US7616312B2|2005-06-29|2009-11-10|Dcg Systems, Inc.|Apparatus and method for probing integrated circuits using laser illumination|
    US7450245B2|2005-06-29|2008-11-11|Dcg Systems, Inc.|Method and apparatus for measuring high-bandwidth electrical signals using modulation in an optical probing system|
    US7659981B2|2005-08-26|2010-02-09|Dcg Systems, Inc.|Apparatus and method for probing integrated circuits using polarization difference probing|
    US7733100B2|2005-08-26|2010-06-08|Dcg Systems, Inc.|System and method for modulation mapping|
    US7659973B2|2006-05-26|2010-02-09|Applied Materials Southeast Asia, Pte Ltd.|Wafer inspection using short-pulsed continuous broadband illumination|
    JP5396004B2|2007-01-31|2014-01-22|オリンパス株式会社|蛍光観察装置および蛍光観察装置の作動方法|
    US7570366B2|2007-02-21|2009-08-04|Corning Incorporated|Apparatus for measuring defects in a glass sheet|
    KR100884353B1|2007-09-18|2009-02-18|한국전자통신연구원|고휘도 다이오드 및 그 제조 방법|
    US8045251B2|2007-12-06|2011-10-25|The Boeing Company|Coherence length controller|
    TWI358538B|2008-02-22|2012-02-21|Ind Tech Res Inst|Apparatus for measuring defects in semiconductor w|
    US8248617B2|2008-04-22|2012-08-21|Zygo Corporation|Interferometer for overlay measurements|
    JP5894745B2|2011-05-31|2016-03-30|浜松ホトニクス株式会社|集積回路検査装置|JP5894745B2|2011-05-31|2016-03-30|浜松ホトニクス株式会社|集積回路検査装置|
    JP5745707B2|2013-02-01|2015-07-08|浜松ホトニクス株式会社|半導体デバイス検査装置及び半導体デバイス検査方法|
    US10191111B2|2013-03-24|2019-01-29|Dcg Systems, Inc.|Synchronized pulsed LADA for the simultaneous acquisition of timing diagrams and laser-induced upsets|
    JP6283501B2|2013-11-12|2018-02-21|浜松ホトニクス株式会社|周波数解析装置及び周波数解析方法|
    JP6283507B2|2013-11-29|2018-02-21|浜松ホトニクス株式会社|半導体デバイス計測装置及び半導体デバイス計測方法|
    JP2016109673A|2014-10-16|2016-06-20|ディーシージー システムズ、 インコーポレイテッドＤｃｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ．|レーザボルテージイメージングのシステム及び方法|
    US10408874B2|2015-05-29|2019-09-10|Hamamatsu Photonics K.K.|Light source device and inspection device|
    JP2016223899A|2015-05-29|2016-12-28|浜松ホトニクス株式会社|光源装置及び検査装置|
    JP6614513B2|2015-11-05|2019-12-04|Ｍｉｐｏｘ株式会社|偏光された平行光により基板を評価することを含む方法|
    KR102255480B1|2015-11-06|2021-05-24|에프이아이 컴파니|파형 매핑 및 게이팅된 레이저 전압 이미징|
    JP6194380B2|2016-02-29|2017-09-06|浜松ホトニクス株式会社|集積回路検査装置|
    US10132861B2|2016-09-16|2018-11-20|Qualcomm Incorporated|Visible laser circuit fault isolation|
    法律状态:
    优先权:
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    JP2011121893A|JP5894745B2|2011-05-31|2011-05-31|集積回路検査装置|
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